8月7-9日，2019全球闪存峰会(Flash Memory Summit)在美国加利福尼亚州举行。诺存微电子携三维高密度NOR闪存原型芯片， 以及国内首批含DTR倍速功能的Octa-SPI和Quad-SPI高速NOR闪存ExpresNOR系列产品，亮相峰会，此次峰会吸引了超过6500名与会者和120家参展商。
诺存微电子创始人彭海兵本科毕业于清华大学，并取得哈佛大学博士学位，据其介绍，传统NOR闪存的二维设计已经接近物理上的极限，产品可靠性降低、成本攀升，三维化是技术变革趋势;诺存微电子研发的世界首款三维高密度NOR闪存原型芯片兼具传统NOR和NAND两者的优势，使NOR闪存SLC单元大小降至仅4F2，大幅降低NOR制造成本， 使价位可与NAND竞争，同时还保持NOR的随机访问功能，低成本高性能，适用于代码运行和数据存储，可竞争传统NOR和NAND两者约540亿美金的市场。
成立于2015年的诺存微电子，是由启迪科服、中金前海、中科创星等旗下基金投资的知识密集型的高科技公司，专注于研发与生产先进的3D结构NOR闪存产品。作为XccelaTM联盟的早期成员，诺存成为在中国大陆第一个推出具有DTR倍速功能的高速Octa-SPI及Quad-SPI NOR闪存产品的企业。目前，诺存的高性能产品 ExpresNOR系列，具备三大优势：一是速度快，16倍于传统SPI NOR;二是引脚少，采用SOP8、SOP16 或 WSON封装;三是与传统SPI完全兼容。ExpresNOR产品系列可实现最快的代码执行，同时也简化系统设计、降低系统成本和功耗，可广泛应用于安防系统、路由器、网关、物联网、手机、消费电子、电脑BIOS、电信设备、汽车电子、工业控制设备，及其他智能电子设备。超高性价比，决定了ExpresNOR产品系列成为物联网、工业、汽车、消费电子等应用的最佳选择。
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